一體系、概述

少子壽命測(cè)試儀配備有紅外光源，可測(cè)量包括硅塊開展試點、硅棒攜手共進、硅芯、檢磷棒推進一步、檢硼棒經過、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命

二力度、技術(shù)指標(biāo)

1明確了方向、儀器測(cè)試精度：≤±0.5%；

2善謀新篇、可測(cè)少子壽命范圍：0.1μs～7000μs增產；

3、測(cè)試電阻率范圍：≥0.1Ωcm 可擴(kuò)展到0.01Ωcm方法；

4行動力、配備光源類型：波長(zhǎng)：980±30nm；

5切實把製度、高頻振蕩源：用石英諧振器保供，振蕩頻率：30MHz；

6銘記囑托、前置放大器：放大倍數(shù)約25引領，頻寬2Hz～1MHz自動化裝置；

7、測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀書方式應用前景。